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熱門產(chǎn)品：

1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)

CVD管式爐

市場價:0.00

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【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)【爐管尺寸】φ40--φ100mm【加熱區(qū)】300mm/440mm 【額定溫度】1200℃【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】PECVD系統(tǒng)（等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成，本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)，最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。
1700℃-CVD管式爐

CVD管式爐

市場價:0.00

價格:0.00

【產(chǎn)品名稱】1700℃-CVD管式爐【爐管尺寸】φ25--φ120mm【加熱區(qū)】300mm 【額定溫度】1700℃【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
1200℃-CVD梯度管式爐

CVD管式爐

市場價:0.00

價格:0.00

【產(chǎn)品名稱】1200℃-CVD梯度管式爐【爐管尺寸】φ25--φ120mm【加熱區(qū)】300mm+300mm 【額定溫度】1200℃【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
1400℃-CVD管式爐

CVD管式爐

市場價:0.00

價格:0.00

【產(chǎn)品名稱】1400℃-CVD管式爐【爐管尺寸】φ25--φ120mm【加熱區(qū)】300mm 【額定溫度】1400℃【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
1200℃-CVD管式爐

CVD管式爐

市場價:0.00

價格:0.00

【產(chǎn)品名稱】1200℃-CVD管式爐【爐管尺寸】φ25--φ120mm【加熱區(qū)】300mm 【額定溫度】1200℃【電源電壓】AC220V/50Hz 【控溫精度】±1℃ 【應(yīng)用領(lǐng)域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。

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